由于BVDSS与MOSFET通态电阻RDS(on)有关,选择一个尽可能最低的BVDSS是很重要的，因为高的BVDSS将导致高的RDS(on)，从而MOSFET的功耗将更高。

      如今我们已经知道MOSFET的总功耗将决定放大器的效率。这些功耗是MOSFET的传导损耗，开关功耗以及栅极电荷损耗的总和。而且，MOSFET的结温TJ和散热片的大小取决于总功耗。因此，高功耗将导致结温增加，从而增加散热器的尺寸。

      由于MOSFET的传导损耗直接与RDS(on)有关，对于标准的栅控MOSFET，通常该参数都将在数据页中给出，条件是25°C和VGS=10V。放大器工作期间，RDS(on)和漏电流决定了MOSFET的传导损耗，并可以容易地通过方程3计算出来。

      由于RDS(on)与温度有关，在热设计中必须注意，以避免热量溢出。此外，所有工作条件下，结温TJ(max)都不能超过数据页中的规定值。因此，计算MOSFET的传导损耗时，必须采用TJ(max)和最大I D RMS 电流条件下的RDS(on)。从图2中可看到，较低的RDS(on)将导致较低的MOSFET传导损耗，从而将得到更高的D类放大器效率。

      栅极电荷Qg是另一个直接影响MOSFET开关损耗的关键参数，较低的Qg将导致更快的开关速度和更低的栅极损耗。MOSFET的开关损耗定义为：

      开关损耗是MOSFET导通和关断时开关时间所引起的，可以简单地通过将开关能量Esw与放大器的PWM开关频率fsw进行相乘而获得：

开关能量Esw通过下式获得：

式中，t为开关脉冲的长度。

利用放大器参数和MOSFET的数据页，可以通过公式7求得PSWITCHING。

式中，Vbus为放大器的总线电压，tr和tf则分别是MOSFET的上升和下降时间。Coss

      为MOSFET的输出电容，Qr为MOSFET的体二极管反向恢复电荷，K为系数，该系数的引入原因是考虑到MOSFET的TJ以及特定的放大器条件，如IF和dIF/dt。相类似，栅极损耗可以通过下式获得：

      式中为栅极驱动器的电压。

      除了像MOSFET的开关延迟时间所引起的定时误差会影响放大器的线性度，Qg也会影响放大器的线性度。然而，相对于死区时间，由MOSFET开关所引起的定时误差就显得不太重要了，故可以通过选择合适的死区时间来大幅降低该误差。实际上，MOSFETQg对放大器的效率的影响要比对线性度的影响大得多。由于可以通过优化死区时间来改善线性度，应该降低Qg，这主要是为了实现较小的开关损耗，如图3所示。

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