MOSFET封装

      同等重要的还有MOSFET的封装，因为封装不仅对性能影响很大，而且还影响成本。像封装的尺寸、功耗容量、电流容量、内部电感和电阻、电气隔离和装配工艺等在确定电路的PCB板、散热器尺寸、装配工艺以及MOSFET的电气参数时都极为重要。类似地，封装热阻RθJC也会影响MOSFET的性能。简单地说，由于较低的RθJC将会减小MOSFET工作过程中的结温，从而将提供MOSFET的可靠性和性能。

      由于电路的杂散电感和电容将影响放大器的EMI性能，内部封装电感将会对EMI噪声的产生起很大贡献。图5中对利用相同的MOSFET芯片但内部电感不同的两种封装的EMI噪声进行了比较。例如，将DirectFET MOSFET(<1nH)与TO-220(~12nH)

      进行比较，发现前者具有更好的EMI性能。其噪声大约比TO-220低9dB，尽管其上升和下降时间比TO-220大约快3倍。于是，对于D类放大器的可靠性，效率，噪声性能及成本的改善来讲，封装的选择是非常重要的。

      最后，最高结温TJ(max)也是非常关键的，因为它决定了散热器的大小。具有较高结温的MOSFET可以承受较高的功耗，因此，需要较小的散热器。从而减小了放大器的尺寸和成本。

      数字音频MOSFET

      综合考虑了上述各种参数，IR公司特别开发出了用于D类音频应用放大器的功率MOSFET，称作为数字音频MOSFET。为了改善其总的D类音频放大器的性能，设计中对尺寸和多个参数进行了专门优化。

      如前所述，RDS(on)和Qg是决定MOSFET功耗的关键参数。这些参数与MOSFET的芯片尺寸密切相关，并在它们之间存在着一些折中。大的MOSFET尺寸意味着更低的RDS(on)和更高的Qg，反之亦然。因此，最佳的芯片尺寸将会实现更低的MOSFET功耗，如图6所示。进一步，数字音频MOSFET将保证能提供一个最大的RG(int)，更低的Qrr以及一个高达150°C的TJ(max)，并且能够被装配在像DirectFET这类效率最高的封装内，以便为D类音频放大器应用提供高效率、稳健性以及可靠的器件

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