为了简化设计师的MOSFET的选择过程，表2中列举出了一系列为应用进行了关键参数优化的数字音频MOSFET。这些MOSFET采用了最新的工艺技术来实现最佳的参数组合。同时，DirectFET封装技术将寄生电感和电容减到最小，从而降低了EMI干扰。

表2：列举出关键参数的一系列数字音频MOSFET。

      进一步，将DirectFET数字音频MOSFET(IRF6445)与合适的控制器加驱动器(IRS2092S)一道使用，就能够实现图7所示的双通道120W半桥D类音频放大器。

      对上述参考设计所实测的性能显示，在1kHz处的总谐波失真加噪声(THD+N)只有大约1%左右。当驱动图8所示的4Ω阻性负载时，每个通道的效率达到了96%。其结果，功耗低于常规需求(只有连续额定功率的1/8)。于是，对于120W的D类音频放大器，在正常工作条件下无需采用散热器。此外，驻留噪声仅有170?V，电源电压为±35V。

      结论

      对于D类音频放大器性能的优化、尺寸和成本而言，像BVDSS、RDS(on)、Qg、Qrr、RG(int)、TJ(max)这些MOSFET参数以及封装都起着关键的作用。然而，不可能以偏概全，因为不同的功率电平需要不同的组合。因此，根据输出功率的要求，设计师必须仔细地选取合适的参数组合来实现放大器的最佳性能，并降低尺寸和成本。数字音频MOSFET中的各种参数必须被优化，才能实现最佳的D类放大器的综合性能。

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